径向引线独石 (积层) 电容器容量大，温度特性，工作电压和容量误差范围工业生产标准尺寸适合自动安装的卷带包装多种脚形产品。
温度补偿类NPO电介质
这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
高介电常数类X7R电介质
由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO 介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO 介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
半导体类Y5V电介质
这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
介质性能参数
CC4 (NPO,COG) | CT4 (X7R) | CT4 (Y5V,Z5U) | ||||
容量范围 | 0.5pF~104 | 221~225 | 103~106 | |||
容量误差 | B=±0.1pF | C=±0.25pF | K=±10% | M=±20% | ||
D=±0.5pF | F=±1% | M=±20% | S=+50%~-20% | |||
G=±2% | J=±5% | S=+50%~-20% | Z=+80%~-20% | |||
K=±10% | M=±20% | P=+100%~0 | ||||
B,C,D for C <10pF | ||||||
额定电压 | 25V, 50V, 100V, 200V, 500V, 1000V 2000V,3000V, 4000V | 25V, 50V, 100V 200V, 250V | ||||
损耗(DF) | 0.15%Max | 2.5%Max | 5.0%Max | |||
(20℃,1MHZ,1VDC) | (20℃,1KHZ,1VDC) | (20℃,1KHZ,0.3VDC) | ||||
绝缘电阻 | C≤10nF | IR≥10000MΩ | C≤25nF | IR≥4000MΩ | ||
C＞10nF | IR>500Ω.F | C＞25nF | C×R>100ΩF | |||
介质耐压强度 | 测试时无明显损伤 | |||||
端电极结合强度 | 测试时无明显损伤 | |||||
弯曲强度 | 测试时无明显损伤。 容量误差不超过10% | |||||
可焊性 | 时间: | 2±1s | ||||
温度.: | 235±5℃ | |||||
覆盖: | ≥ 95% | |||||
耐焊接热 | 时间: | 5±1s | ||||
温度.: | 265±5℃ | |||||
覆盖: | ≥ 95% | |||||
△C/C: | ≤0.5% or 0.5pF | ≤-5% ~ +10% | ≤-10% ~ +20% | |||
温度循环变化 | △C/C: | ≤1% | ≤± 10% | ≤±30% | ||
外观: | 测试时无明显损伤 | |||||
潮湿试验 | △C/C: | ≤2% | ≤10% | ≤20% | ||
DF | 0.003 | 0.05 | 0.07 | |||
IR | R×C>25s | |||||
外观: | 测试时无明显损伤 | |||||
温度特性 (△C/C) | ±30ppm/℃ | ±15% | Z5U(E) | +22~-56% | ||
Y5V(F) | +22~-82% | |||||
振动 | 外观: | 测试时无明显损伤 | ||||
撞击 | △C/C: | ≤2% | ||||
外观: | 测试时无明显损伤 | |||||
寿命测试 (1000小时) | △C/C: | ≤2% | ≤±12.5% | ≤±30.0% | ||
DF | 0.003 | 0.05 | ||||
IR | R×C>25s | R×C≥25s | ||||
外观: | 测试时无明显损伤 | |||||
径向引线电容器尺寸、容量、工作电压关系表
